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DN 160 CF-F 金属密封・TC 400 集成驱动・超高压缩比工业级高真空泵
普发大型科研高压缩比分子泵 HiPace 700 H (DN 160 CF-F 法兰版本,搭配 TC 400 集成电子驱动单元)北京艾禾真空全国现货供应。作为普发 HiPace H 系列中的大流量超高压缩比机型,HiPace 700 H 氮气抽速高达 685 l/s,对氢气、氦气等轻质气体具备行业较好的压缩比表现,进气口采用 DN 160 CF-F 金属密封法兰,支持任意方向安装,标配 RS-485 通讯并兼容多种工业总线协议,是半导体制造、高能物理、超高真空科研等领域的核心真空设备。
一、核心技术参数:大抽速 + 超高压缩比 + 工业级配置
HiPace 700 H 中的 "H" 代表 High Compression(超高压缩比),是普发针对轻质气体深度抽取需求专门优化的版本,配合 DN 160 CF-F 大口径金属密封法兰,实现大流量与超高真空的双重优势,关键技术参数如下:
抽气性能全 氮气抽速 685 l/s,氩气抽速 665 l/s,氦气抽速 655 l/s,氢气抽速 555 l/s,全气体谱段抽速均衡且强劲,满足大腔体快速抽气与高工艺气载需求。压缩比表现尤为突出:氮气与氩气压缩比均高达 1×10¹³,氦气压缩比 1×10⁹,氢气压缩比 2×10⁷,对氢、氦等轻质气体的深度压缩能力远超标准型号,可有效降低轻质气体本底分压,实现更洁净的超高真空环境。气载耐受能力优异:额定转速下氮气流量 3.5 hPa・l/s、氦气 18 hPa・l/s、氢气 14 hPa・l/s、氩气 2 hPa・l/s,适应半导体工艺持续进气工况。氮气最大前级耐压 22 hPa,前级泵配置灵活度高。冷启动时间仅需 2 分钟,快速达到额定转速,显著缩短设备开机抽本底周期。
TC 400 集成驱动与智能通讯 标配 TC 400 集成电子驱动单元,变频器与控制系统内置于泵体,系统集成度高、布线简洁。标准通讯接口为 RS-485 远程控制,支持远程启停、转速调节、状态读取与参数配置;可选 Profibus、Profinet、EtherCAT、DeviceNet、Semi E74 等多种工业总线协议,无缝对接半导体产线、自动化设备 PLC 控制系统,满足 SEMI 标准工业互联需求。
结构接口与运行特性 进气法兰为 DN 160 CF-F,采用铜垫圈金属密封,漏率极低、长期密封可靠,是超高真空与半导体设备的标准接口配置;排气法兰为 DN 25 ISO-KF / G 1/4" 螺纹,前级连接灵活。支持任意方向安装,立式、卧式、倒置均可正常工作,不受设备腔体空间布局限制。整机重量仅约 11.8 kg,在同抽速级别中结构异常紧凑轻便,便于设备集成与现场维护。运行声压级 ≤ 50 dB (A)(符合 EN ISO 2151 标准),静音表现出色。干式无油抽气原理,杜绝油蒸汽反向扩散,保障腔体洁净度。
二、产品核心特点
1. 可靠耐用:同类最佳混合轴承技术 HiPace 700 H 采用普发同类产品中较好的混合轴承技术,高真空侧永磁悬浮轴承搭配前级精密陶瓷滚珠轴承,高真空端无接触磨损、使用寿命极长。成熟的轴承设计配合严苛的出厂测试标准,确保泵体长期连续稳定运行,平均无问题时间长、设备正常运行时间高,大幅降低半导体产线与科研平台的停机风险与维护成本。
2. 静音低振:激光平衡技术 得益于普发激光动平衡技术,HiPace 700 H 的转子组件平衡精度达到超高水准,运行过程中振动极小、噪音极低,整机声压级控制在 50 dB (A) 以内。低振动特性对于电子显微镜、光刻设备、精密测量仪器等对振动敏感的应用尤为重要,可有效避免振动干扰对工艺精度与检测分辨率的影响。
3. 性能扎实:轻质气体超高压缩比 作为 H 系列超高压缩比机型,HiPace 700 H 针对氢气、氦气等轻质气体进行了专门的叶片级优化,多级涡轮结构逐级压缩,实现了行业较好的轻质气体压缩比。在半导体刻蚀、沉积等含氢工艺中,可高效抽取氢气本底;在氦质谱检漏、氦气冷却等应用中,对氦气的高压缩比可有效降低前级负荷,提升系统极限真空度,是高真空与超高真空应用的优选方案。
4. 工业级适配:多总线兼容 + 全向安装 HiPace 700 H 面向工业应用深度优化,支持多种主流工业总线通讯协议,可直接接入各类自动化产线控制系统。任意方向安装的特性为设备集成提供了极大自由度,尤其适合半导体腔体侧面、顶部等特殊安装位置。CF-F 金属密封法兰耐高温、低放气,兼容半导体工艺中的高温烘烤流程,满足严苛的工业工艺要求。
三、核心应用行业及场景
1. 半导体制造全流程工艺 普发大型科研高压缩比分子泵HiPace 700 H DN 160 CF-F 是半导体制造领域的主力高真空泵型,覆盖晶圆加工全工艺环节:
· 沉积工艺:LPCVD 低压化学气相沉积、PECVD 等离子体增强化学气相沉积、ALD 原子层沉积、PVD 物理气相沉积、轻沉积
· 蚀刻工艺:Si Poly 多晶硅蚀刻、金属与高 K 介质蚀刻、氧化物蚀刻、剥离 / 灰化
· 其他关键工艺:离子注入、光刻技术、Load Lock 装载腔与传输腔、检验与计量设备 大抽速可快速恢复腔体真空,提升产能;高轻质气体压缩比适配含氢、含氦工艺;CF-F 金属密封满足洁净度与烘烤要求。
2. 科研研发领域
· 高能物理:粒子加速器、探测器、同步辐射光束线等高真空系统
· 超高真空研究:表面科学、薄膜生长、量子器件等需要 UHV 级本底真空的实验平台
· 大型科研装置:托卡马克、聚变实验装置等大科学工程的真空子系统
四、供货与服务保障
北京艾禾真空深耕真空设备领域,建立了覆盖全国的供货网络与专业服务体系,为 HiPace 700 H 全系列产品提供完备保障:
· 全国现货直发:HiPace 700 H DN 160 CF-F 常备库存,下单即可安排发货,省去进口漫长等待周期,半导体产线紧急备件当日出库
· 原厂正品保障:全部设备为普发原厂全新产品,出厂完成完整性能测试,随附检测报告、技术手册与质保文件
· 一年整机质保:自设备交付之日起提供 12 个月整机质量保证,涵盖涡轮泵主体与 TC 400 驱动单元,非人为故障免费维修或更换
· 售后服务体系:专业技术团队提供售前选型计算、安装指导、开机调试、故障排查与定期维护建议,覆盖设备全生命周期
· 原厂配件齐全:TC 400 驱动单元、轴承组件、密封件、通讯模块等备件常备库存,维修响应快速,最大限度缩短停机时间
· 一站式配套采购:可配套前级干泵、真空规管、真空阀门、CF 法兰铜垫圈等周边产品,整套真空系统一站配齐
无论您是半导体设备厂商、大型科研院所还是新能源研发企业,北京艾禾真空都能为您提供专业的高真空设备解决方案与高效可靠的交付保障。如需 HiPace 700 H 详细技术资料、报价与货期确认,欢迎联系我们的销售团队获取一对一服务。
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